（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN102341906A

（43）申请公布日 2012.02.01（21）申请号CN200980157723.X

（22）申请日2009.12.29

（71）申请人先进微装置公司;AMDFAB36有限责任公司

地址美国加利福尼亚州

（72）发明人S·克朗霍尔兹;A·奥特

（74）专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司

代理人程伟

（51）Int.CI

H01L21/8234;

H01L21/8238;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

通过减少非均匀性沉积的包括沟道半导体合金的晶体管中的阈值电压变异的减少

（57）摘要

在增强沉积均匀性的基础上，为晶体管的

一类型可选择性提供阈值调整半导体材料，如硅/

锗合金。为此目的，可沉积半导体合金在任何晶

体管的有源区，随后可在高度可控的图案化模式

的基础上图案化。因此，可降低阈值变异。