（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN108701721A

（43）申请公布日 2018.10.23（21）申请号CN201780011944.0

（22）申请日2017.11.14

（71）申请人TDK株式会社

地址日本东京都

（72）发明人盐川阳平;佐佐木智生;及川亨

（74）专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人杨琦

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器

（57）摘要

本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方

向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁

磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金

属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩

配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的

元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性

金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之

间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。

法律状态