自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器_doc

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号

CN108701721A

(43)申请公布日 2018.10.23(21)申请号CN201780011944.0

(22)申请日2017.11.14

(71)申请人TDK株式会社

地址日本东京都

(72)发明人盐川阳平;佐佐木智生;及川亨

(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人杨琦

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器

(57)摘要

本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方

向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁

磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金

属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩

配线,上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的

元素构成的非磁性体构成,在与上述第一铁磁性

金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之

间,上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。

法律状态